历史涨停时间:
2024.12.13
2026.01.16
  • A2024.12.13
  • B2024.12.18
  • C2025.01.14
  • D2025.04.29
  • E2025.08.22
  • F2025.09.01
  • G2025.09.11
  • H2025.10.27
  • I2026.01.05
  • J2026.01.16

存储芯片+DRAM涨价+车规MCU+H股上市
行业原因: 台积电Q4净利润大幅增长35%,季度营收首次突破1万亿新台币大关。台积电公布2026年资本支出计划最高将达560亿美元,创下该公司历史新高。管理层表示,未来三年资本支出将显著增加。 公司原因: 1、据2025年10月30日机构调研及2025年11月11日互动易,利基型DRAM供不应求,价格持续上行,公司Q3单季归母净利润同比增61.1%至5.08亿元,毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%,全年DRAM营收预计同比增50%。 2、据2025年8月25日投资者关系活动记录表,公司2025年推出第二款ASIL B功能安全M7汽车MCU,已在战略客户实现产品导入,并规划明年推出ASIL D双核及域控级产品。 3、据2025年12月17日公告,公司董事会通过H股全球发售及香港联交所主板上市相关议案,拟发行不超过5179.69万股境外上市普通股。 4、据2025年半年度报告,公司NOR Flash全球排名第二,45nm节点SPI NOR Flash率先大规模量产,车规Flash营收延续高增长。 (免责声明:本内容由AI技术搜集公开信息总结生成,仅供参考,不构成投资建议,以上市公司公告为准)